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Kamiya, Junichiro; Takano, Kazuhiro; Yuza, Hiromu*; Wada, Kaoru
Proceedings of 12th International Particle Accelerator Conference (IPAC 21) (Internet), p.3471 - 3474, 2021/08
The NEG coating, which has been developed in CERN, is a revolutionary technique that can make a beam pipe act as a vacuum pump by coating the getter materials with the ability to adsorb/absorb gas molecules on the beam pipe surface. The NEG materials are alloys of titanium, zirconium, and vanadium. Titanium is one of the getter materials. In high-power beam accelerators, titanium has been used as the beam pipe chamber material due to its low radioactivation characteristics. The ordinal titanium surface has no getter function because it is covered with titanium-oxide film. The new technique, which removes the titanium-oxide surface by the sputtering and makes the titanium vacuum chamber itself the vacuum pump like NEG coated chamber, has been developed. After sputtering the inner surface of the titanium chamber, we obtained clear evidence that shows the chamber acts as a vacuum pump. We have also tried to make a titanium chamber with a getter function only by baking. Dependence of the getter characteristics on the baking temperature will also be reported.
Haga, Yoshinori; Homma, Tetsuo*; Yamamoto, Etsuji; Okuni, H.*; Onuki, Yoshichika*; Ito, Mitsuo; Kimura, Noriaki*
Japanese Journal of Applied Physics, 37(6A), p.3604 - 3609, 1998/06
Times Cited Count：39 Percentile：81.76(Physics, Applied)no abstracts in English
Haga, Yoshinori; Yamamoto, Etsuji; Homma, Tetsuo*; Kimura, Noriaki*; *; Okuni, H.*; Aoki, Dai*; Ito, Mitsuo; Onuki, Yoshichika*
Physics of Strongly Correlated Electron Systems (JJAP Series 11), p.269 - 271, 1998/00
no abstracts in English
Kaminaga, Atsushi; Arai, Takashi; ; *; Saido, Masahiro
Shinku, 41(10), p.846 - 850, 1998/00
no abstracts in English
Arai, Takashi; Masaki, Kei; Miyachi, Kengo
Shinku, 41(10), p.841 - 845, 1998/00
no abstracts in English
Miyo, Yasuhiko; Ogiwara, Norio; Saido, Masahiro; *; *
Shinku, 38(3), p.274 - 277, 1995/00
no abstracts in English
Ogiwara, Norio; *
Shinku, 36(3), p.325 - 327, 1993/00
no abstracts in English
Yokokura, Kenji; Ikeda, Yoshitaka; Suganuma, Kazuaki; Nagashima, Takashi; *
Shinku, 31(12), p.945 - 953, 1988/12
no abstracts in English
; *; Akino, N.; Yamamoto, Masahiro; ; Okubo, Minoru; ; ; *;
Nihon Genshiryoku Gakkai-Shi, 29(12), p.1108 - 1115, 1987/12
Times Cited Count：0 Percentile：0.02(Nuclear Science & Technology)no abstracts in English
; Okubo, Minoru; Yamamoto, Masahiro; ; ; Nakamura, H.; Akino, N.; ; *; *; et al.
Nucl.Eng.Des./Fusion, 3(4), p.249 - 264, 1986/00
no abstracts in English
; Kazawa, Minoru
Shinku, 24(7), p.399 - 407, 1981/00
no abstracts in English
Yamamoto, Masahiro; ; Nakamura, H.; ; *; ; ; *; *; *; et al.
Nihon Genshiryoku Gakkai-Shi, 20(4), p.258 - 272, 1978/04
Times Cited Count：6no abstracts in English
神谷 潤一郎
not registered
JP, 2021-122848 
Patent licensing information Patent publication (In Japanese)
【課題】ゲッター作用によって排気を行い、最大捕獲分子数が多くかつ使用寿命の長い真空部品を得る。 【解決手段】真空容器10はTIで構成される。この中心軸に沿った部分において、真空容器10の内面10Aよりも十分に小さな電極面20Aを有し中心軸に沿った中空の円筒形状の電極20が設けられている。この真空部品1においては、内部にARを導入して電極面20Aを正電位としてDC放電を発生させる第1の状態、ARを導入せずに電極面20Aを接地電位とする第2の状態、内部にARを導入して電極面20Aを負電位としてDC放電を発生させる第3の状態、のいずれかを実現することができる。この真空部品1による排気は、第2の状態において行われる。また、電極を用いずに400℃以下の加熱をする状態を実現することでも真空部品1による排気が行われる。
神谷 潤一郎; 和田 薫
桜井 充*; ナン ティン ティン トゥエ*; 上原 孝浩*; 馬渕 拓也*
JP, 2022-142703 Patent licensing information
【課題】高い真空排気性能を実現することができるターボ分子ポンプを提供する。 【解決手段】ターボ分子ポンプ1には、回転の軸線AXに沿って複数段のロータ翼31Aを有するロータ30と、軸線AXに沿って複数段のロータ翼31Aの間にそれぞれ配置される複数段のステータ翼14Aと、それらのロータ30、及び複数段のステータ翼14Aを内部に収容するケーシング11と、が設けられる。そして、それらの複数段のロータ翼31A、複数段のステータ翼14A、及びケーシング11を含むそのケーシング11の内部の少なくとも一部は、その素材に含まれるガスを放出させるための真空ベーキング処理が施された材料によって形成される。
神谷 潤一郎
not registered
JP, 2022-186285 Patent licensing information Patent publication (In Japanese)
【課題】コーティング層の剥離が発生しにくいコーティング方法を得る。 【解決手段】この真空部品1においては、ARが導入されて前記のように電極20が正電位とされた場合(第1の状態)には、真空容器(部材)10内の実線矢印で示されるように、DC放電によって生成されたAR(正)イオンが負側となる真空容器10の内面10Aに衝突する(第1の工程)。このイオン衝撃によって、TI酸化物層をスパッタエッチし、除去することができる。この場合におけるTI酸化物層のエッチング深さは、スパッタリング時間(DC放電時間)、スパッタリング電流等によって調整することができる。TI酸化物層が除去された後で、ARが導入されて前記のように電極面20Aが負電位とされた場合(第3の状態)には、前記とは逆に、AR(正)イオンは負側となる電極面20Aに衝突する(第2の工程)。
